CO在CeO_2(111)表面的吸附与氧化
点击次数：
第一作者：蒋仕宇
发表时间：2009-01-01
发表刊物：物理化学学报
所属单位：物理化学研究所
文献类型：期刊
期号：第8期
页面范围：1629-1634
ISSN号：1000-6818
关键字：吸附；CO；CeO2（111）表面；氧化；密度泛函理论
摘要：采用密度泛函理论计算了CO在CeO2(111)表面的吸附与氧化反应行为.结果表明,O2在洁净的CeO2(111)表面为弱物理吸附,而在氧空位表面是强化学吸附,且O2分子活化程度较大,O—O键长为0.143nm.CO在CeO2(111)表面吸附行为的研究表明,CO在洁净表面及氧空位表面上为物理吸附,吸附能均小于0.42eV;当表面氧空位吸附O2后,CO可吸附生成二齿碳酸盐中间体或直接生成CO2,与原位红外光谱结果相一致.表面碳酸盐物种脱附生成CO2的能垒仅为0.28eV.计算结果表明,当CeO2表面存在氧空
是否译文：否