CeO_2(110)表面上CO氧化反应的密度泛函理论研究
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第一作者：滕波涛
发表时间：2009-01-01
发表刊物：化学学报
所属单位：物理化学研究所
文献类型：期刊
期号：第4期
页面范围：2765-2772
ISSN号：0567-7351
关键字：CO氧化；CeO2(110)表面；密度泛函理论；扩展休克尔分子轨道理论
摘要：利用密度泛函理论系统研究了O2与CO在CeO2(110)表面的吸附反应行为.研究表明,O2在清洁的CeO2(110)表面吸附热力学不利,而在氧空位表面为强化学吸附,O2分子被活化,可能是重要的氧化反应物种.CO在清洁的CeO2(110)表面有化学吸附与物理吸附两种构型,前者形成二齿碳酸盐物种,后者与表面仅存在弱相互作用.在氧空位表面,CO可分子吸附或形成碳酸盐物种,相应吸附能均较低.当表面氧空位吸附O2后(O2/Ov),CO可吸附生成碳酸盐或直接生成CO2,与原位红外光谱结果相一致.过渡态计算发现,O2/
是否译文：否