一种二硫化钨单层薄膜的制备方法
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申请专利人：浙江师范大学
第一作者：孟秀清
发明设计人：孟秀清，汤宁，方允樟，黄仕华，叶慧群，楼刚
所属单位：数理与信息工程学院
专利类型：发明专利
专利说明：一种二硫化钨单层薄膜的制备方法，采用CVD方法，以纯度为99.99％高纯三氧化钨作为钨源和纯度为99.9％高纯硫作为硫源，以纯度为99.999％的高纯氩气作为载气，以纯度为99.999％的氢气作为反应催化气体，以蓝宝石衬底作为反应衬底，制备而成。本发明具有简单易行、能获得大尺寸高质量二硫化钨薄膜材料的优点，是一种既经济实惠又简单的制备方法。
申请日期：2016-05-23
申请号：201610348875.X
公开日期：2016-10-12
授权日期：2018-03-20
授权号：CN106007796B
是否职务专利：否
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