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    金林枫

    • 实验师
    • 性别 : 男
    • 毕业院校 : 浙江师范大学
    • 在职信息 : 在岗
    • 所在单位 : 物理与电子信息工程学院
    • 入职时间 : 2012-07-16

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    基于Fe基非晶薄带的宽线性GMI传感器

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    第一作者 : 金林枫

    发表时间 : 2011-01-01

    发表刊物 : 浙江师范大学学报(自然科学版)

    所属单位 : 数理与信息工程学院

    文献类型 : 期刊

    期号 : 第2期

    页面范围 : 158-161

    ISSN : 1001-5051

    关键字 : 磁敏传感器;Fe基非晶薄带;巨磁阻抗效应;线性度

    摘要 : 基于Fe76S i7.6B9.5P5C1.9非晶合金薄带的巨磁阻抗特性,研制了一种新型磁敏传感器.介绍了Fe76S i7.6B9.5P5C1.9非晶合金薄带的GM I特性及磁敏传感器的电路原理,并对磁敏传感器进行了性能测试.实验结果表明:该传感器的重复性好,迟滞误差小,线性范围广,并且在弱磁场作用下仍然可以保持良好的线性度,灵敏度为3.49 mV/(A.m-1).

    是否译文 :

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