点击量 ：

第一作者 ： 何兴伟

发表时间 ： 2017-01-01

发表刊物 ： 中国高新区

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

期号 ： 第6期

页面范围 ： 106，108

ISSN ： 1671-4113

关键字 ： 蒸发镀膜；平移；均匀性；方差

摘要 ： 本文对比了蒸发镀膜过程中基片不移动和基片在正方形区域内做平移运动两种情形的膜厚均匀性特性。计算得出,对于基片不移动情形,基片中心在蒸发源正上方时,膜厚方差取最小值σs-min,而基片做平移运动情形的膜厚方差σk比σs-min还要小。结果表明,基片做平移运动能获得更加好的膜厚均匀性。

是否译文 ： 否