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- 姓名：郝亚非
- 性别：女
- 电子邮件：a987d3f19692fd4f25500119259128db365e4c265c279a45926c4c47e3fe3ae5604d03eae3cd0f59da2dfe44eb72000b368bf8618ffe9e824998b5912b80deff8c52b4d44ddb152f90da9a2436b15857d8907487509045d77ec06fabf39ac4f0d6c8d0b8437bfaa7c2905a19bbaeebcd681ac66c272af18a6ab2d99dd7cada80
- 入职时间：2009-08-25
- 在职信息：在岗
- 职称：副教授
- 单位：物理与电子信息工程学院
- 学历：博士研究生毕业
- 学位：博士学位
- 毕业院校：中国科学院半导体研究所
- 联系方式：haoyafei@zjnu.cn
一种多晶硅薄膜及其低温制备方法
- 点击量：
- 所属单位：数理与信息工程学院
- 专利类型：发明专利
- 申请号：201510956884.2
申请日期：2015-12-18
- 作者姓名：郝亚非
- 申请专利人：浙江师范大学
- 发明设计人：郝亚非，张若云，井维科，黄仕华
- 公开日期：2016-04-20
- 专利说明：本发明涉及一种多晶硅薄膜的低温制备方法，属于多晶硅薄膜制备领域，包括以下步骤：(1)对衬底进行清洗和吹干；(2)真空室抽真空，气压达到10 -6 Torr以上，采用真空磁控溅射的方法在衬底上沉积非晶硅薄膜；(3)在非晶硅薄膜上沉积锡薄膜；(4)在350℃～550℃的退火温度下，对上一步生成的样品进行退火处理后，锡诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜；(5)将退火后的样品上的金属锡洗去。本发明通过改变退火温度可以控制多晶硅的晶粒尺寸，能够得到尺寸很大的多晶硅晶粒；采用超高真空磁控溅射的方法，安全、无毒，可以依次沉
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