Patent Applicant:浙江师范大学
First Author:胡勇
Disigner of the Invention:胡勇，李志鹏，沈峻岭
Affilication of Author(s):物理化学研究所
Type of Patent:发明专利
Patent Description:本发明是一种用于超级电容器电极材料硫化钴镍纳米片的简便制备方法。本发明的目的是提供了一种简单的二步溶剂热技术生长用于超级电容器电极材料硫化钴镍纳米片的简便制备方法。本发明一种用于超级电容器电极材料硫化钴镍纳米片的简便制备方法是：采用过渡金属盐硝酸钴、硝酸镍和无水乙酸钠为反应原料，分别采用聚乙二醇，乙二醇和乙醇作为溶剂，硫代乙酰胺(TAA)为硫源，通过二步溶剂热的方法制备出硫化钴镍纳米片。采用本发明所制备的硫化钴镍纳米片材料具有可重复性高，合成过程简单，易控制，产量大的优点。并且这种片层结构有利于电解质离子
Application Date:2017-05-08
Application Number:201710316636.0
Publication Date:2017-08-04
Date of authorization:2018-06-19
Authorization number:CN107010676B
Service Invention or Not:no