Patent Applicant:浙江师范大学
First Author:胡勇
Disigner of the Invention:胡勇,何斌,沈峻岭
Affilication of Author(s):物理化学研究所
Type of Patent:发明专利
Patent Description:本发明是一种简便制备炭包覆Cu掺杂CdS花状纳米复合结构光催化剂的方法。本发明是针对现有制备的CdS纳米结构光催化剂方法存在制备成本高、合成过程复杂、不易控制、产品的均与性低、产量少、重复性差、光腐蚀现象严重的不足之处,提供了一种低成本、易控制、重复性好、产品具有抗光腐蚀性的简便制备炭包覆Cu掺杂CdS花状纳米复合结构光催化剂的方法。本发明的制备炭包覆Cu掺杂CdS花状纳米复合结构光催化剂的方法是:反应试剂采用氯化镉、硫脲、葡萄糖、硫酸铜和聚乙烯吡咯烷酮(PVP),溶剂采用乙二醇,采取一步溶剂热反应后,将
Application Date:2016-11-30
Application Number:201611078202.3
Publication Date:2017-05-31
Service Invention or Not:no
Yong Hu
+
Gender:Male
Education Level:Graduate student graduate
Alma Mater:中国科学技术大学
Patent
一种简便制备炭包覆Cu掺杂CdS花状纳米复合结构光催化剂的方法
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