Patent Applicant:浙江师范大学
First Author:胡勇
Disigner of the Invention:胡勇，胡恩来
Affilication of Author(s):物理化学研究所
Type of Patent:发明专利
Patent Description:本发明是一种制备Zn x Cd 1-x S纳米空心砖的方法。本发明制备Zn x Cd 1-x S纳米空心砖的方法是：以实心的钨酸银(Ag 2 WO 4 )纳米砖为模板，采用水和乙二醇为溶剂，以硫代乙酰胺(TAA)为硫源，采用水浴加热方法，获得中间产物硫化银(Ag 2 S)纳米空心砖；将所得的Ag 2 S纳米空心砖为模板，加入不同比例无机盐醋酸镉(Cd(CH 3 COO) 2 ·2H 2 O)和醋酸锌(Zn(CH 3 COO) 2 ·2H 2 O)，以甲醇(MeOH)为溶剂，采用三苯基膦(TBP)为络合剂，
Application Date:2014-09-01
Application Number:201410440334.0
Publication Date:2014-12-24
Date of authorization:2016-03-16
Authorization number:CN104229870B
Service Invention or Not:no