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申请专利人 ： 浙江师范大学

作者 ： 黄仕华

发明设计人 ： 黄仕华，陈达

所属单位 ： 数理与信息工程学院

专利类型 ： 发明专利

专利说明 ： 本发明公开了一种低温下具有阈值电阻转变功能的材料及制备方法，具有多层堆叠的三维结构，自下而上分别为铝质背电极层、p型重掺杂硅片层、氮化硅层、金属上电极层。本发明采用硅基材料，与传统CMOS集成电路工艺相兼容；将SiN材料组装成器件Ag/SiN/p‑Si/Al，器件Ag/SiN/p‑Si/Al在210K的温度下，具有典型的阈值电阻转变特征。

申请日期 ： 2017-09-29

申请号 ： 201710903676.5

公开日期 ： 2018-03-02

是否职务专利 ： 否