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申请专利人 ： 浙江师范大学

作者 ： 黄仕华

发明设计人 ： 黄仕华，黄玉清，陈达，张若云

所属单位 ： 数理与信息工程学院

专利类型 ： 发明专利

专利说明 ： 本发明公开了一种用于高质量多晶硅生长的坩埚底部热传导装置及方法，包括石墨台、气冷腔和水冷腔，气冷腔的底部设有入气孔和出气孔，内部设有垂直于气冷腔底部的第一入气管；所述水冷腔底部设有出水口与入水口，水冷腔内设有垂直于水冷腔底部的入水管，位于水冷腔底部的中心位置；所述入气孔、出气孔、出水口与入水口各设有一控制阀门；本发明采用气冷和水冷相结合的方法来精确控制硅熔体过冷度，通过调节在多晶硅不同生长阶段的水和氩气的流量，来调控多晶硅生长的过冷度，可以有效控制多晶硅初始成核几率和生长速度。

申请日期 ： 2017-11-21

申请号 ： 201711164409.7

公开日期 ： 2018-02-23

是否职务专利 ： 否