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申请专利人 ： 浙江师范大学

作者 ： 黄仕华

发明设计人 ： 黄仕华，黄玉清，芮哲，王佳

所属单位 ： 数理与信息工程学院

专利类型 ： 发明专利

专利说明 ： 本发明公开了一种超薄二氧化硅钝化层的制备方法，该方法在对硅片进行彻底清洗后，用68%HNO3生长1~2nm厚的界面态密度低的二氧化硅膜，然后通过PECVD进行氢钝化未饱和的悬挂键，从而实现硅片的有效钝化。该发明即能达到良好的钝化效果，又解决了热氧化生长二氧化硅的厚度不可控的问题，且化学湿法制备效率高，PECVD法进行氢钝化也无有毒气体的使用，较为安全。

申请日期 ： 2018-03-23

申请号 ： 201810242569.7

公开日期 ： 2018-08-17

是否职务专利 ： 否