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申请专利人 ： 浙江师范大学

作者 ： 郝亚非

发明设计人 ： 郝亚非，张若云，井维科，黄仕华

所属单位 ： 数理与信息工程学院

专利类型 ： 发明专利

专利说明 ： 本发明涉及一种多晶硅薄膜的低温制备方法，属于多晶硅薄膜制备领域，包括以下步骤：(1)对衬底进行清洗和吹干；(2)真空室抽真空，气压达到10 -6 Torr以上，采用真空磁控溅射的方法在衬底上沉积非晶硅薄膜；(3)在非晶硅薄膜上沉积锡薄膜；(4)在350℃～550℃的退火温度下，对上一步生成的样品进行退火处理后，锡诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜；(5)将退火后的样品上的金属锡洗去。本发明通过改变退火温度可以控制多晶硅的晶粒尺寸，能够得到尺寸很大的多晶硅晶粒；采用超高真空磁控溅射的方法，安全、无毒，可以依次沉

申请日期 ： 2015-12-18

申请号 ： 201510956884.2

公开日期 ： 2016-04-20

是否职务专利 ： 否