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第一作者 ： 胡波

发表时间 ： 2013-01-01

发表刊物 ： 中国物理B

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

期号 ： 第1期

页面范围 ： 486-490

ISSN ： 1674-1056

关键字 ： tunneling；current；ultrathin；oxide；interface；trap；charge；fixed；oxide；charge

摘要 ： A model based on analysis of the self-consistent Poisson-Schrodinger equation is proposed to investigate the tunneling current of electrons in the inversion layer of a p-type metal-oxide-semiconductor (MOS) structure. In this model, the influences of inte

是否译文 ： 否