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第一作者 ： Hong Xiao

发表时间 ： 2009-01-01

发表刊物 ： Microelectronic Engineering

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

卷号 ： Vol.86

期号 ： No.11

页面范围 ： 2342-2346

ISSN ： 0167-9317

关键字 ： Si/SiO₂;Magnetron;sputtering;Photoluminescence;Raman;spectra

摘要 ： Si/SiO 2  multilayers have been successfully prepared by magnetron sputtering and subsequently thermal annealed in an Ar atmosphere at a temperature of more than 500 ??C. The surface of the as-deposited films is compact and smooth, and the distribution of

是否译文 ： 否