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第一作者 ： Huang,Shihua

发表时间 ： 2009-01-01

发表刊物 ： Journal of Applied Physics

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

卷号 ： Vol.106

期号 ： No.10

页面范围 ： 103522(1-5)

ISSN ： 0021-8979

关键字 ： QUANTUM;dots;PHOTOLUMINESCENCE;INDIUM;arsenide;GALLIUM;arsenide;FEMTOSECOND;lasers

摘要 ： This paper presents the ultrahigh excitation intensity-dependent photoluminescence (UEIPL) spectra of self-assembled InAs/GaAs quantum dots (QDs) excited by femtosecond laser with power intensity up to 450 kW/cm 2 . Upon ultraintensive excitation, many em

是否译文 ： 否