点击量 ：

第一作者 ： Da Chen

发表时间 ： 2016-01-01

发表刊物 ： Chinese Physics B

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

卷号 ： Vol.25

期号 ： No.11

页面范围 ： 1

ISSN ： 1674-1056

摘要 ： Si-rich SiOx and amorphous Si clusters embedded in SiOx films were prepared by the radio-frequency magnetron cosputtering method and high-temperature annealing treatment. The threshold resistance switching behavior was achieved from the memory mode by con

是否译文 ： 否