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第一作者 ： Shihua Huang

发表时间 ： 2009-01-01

发表刊物 ： Surface and Coatings Technology

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

卷号 ： Vol.204

期号 ： No.5

页面范围 ： 558-562

关键字 ： Ge/Si;nanomultilayer;Magnetron;sputtering;Annealing

摘要 ： Ge/Si nanomultilayers were prepared using magnetron sputtering deposition and adjusting the growth conditions, such as the substrate temperature, sputtering pressure, sputtering power and annealing temperature. The surface topography and microstructure of

是否译文 ： 否