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第一作者 ： Louis Oppong-Antwi

发表时间 ： 2017-01-01

发表刊物 ： Solar Energy

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

卷号 ： Vol.141

页面范围 ： 222-227

ISSN ： 0038-092X

关键字 ： Simulation;Interface;defect;state;Interface;fixed;charge;a-Si:H/c-Si;hetero-junction;solar;cell

摘要 ： In this work, a simulation study of various HIT solar cell structures was carried out using AFORS-HET simulation software. The effect of defect states and fixed charges at the a-Si:H/p-Si interface on the solar cell performance was investigated. We found

是否译文 ： 否