Simulation of a high-efficiency silicon-based heterojunction solar cell
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- 作者：刘剑
- 所属单位：数理与信息工程学院
- 文献类型：期刊
- 发表时间：2015-01-01
- 发表刊物：半导体学报(英文版)
- 卷号：第36卷
- 期号：第4期
- 页面范围：82-89
- 是否译文：否
- 关键字：simulation；heterojunction；solar；cells；transport；properties
- 摘要：The basic parameters of a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells,such as layer thickness,doping concentration,a-Si:H/c-Si interface defect density,and the work functions of the transparent conducting oxide（TCO） and back surface field（BSF） layer,are crucial
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