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First Author : 杨维清

Date of Publication : 2008-01-01

Journal : 四川大学学报(自然科学版)

Affiliation of Author(s) : 数理与信息工程学院

Document Type : 期刊

Issue : 第6期

Page Number : 1420-1422

ISSN : 0490-6756

Key Words : 光谱；电子顺磁共振；晶体场理论；Ru3+离子

Abstract : 采用合适的模型和参量,用适于强场低自旋(S=1/2)d5组态的微扰公式计算了4d5离子Ru3+在Y3Al5O12晶体中的自旋哈密顿参量(g因子g∥,g⊥和超精细结构常数A∥和A⊥).通过计算,合理地解释了这些自旋哈密顿参量并获得了Ru3+杂质中心在Y3Al5O12晶体中的缺陷结构

Translation or Not : no