Hits :

First Author : 刘剑

Date of Publication : 2015-01-01

Journal : 半导体学报(英文版)

Affiliation of Author(s) : 数理与信息工程学院

Document Type : 期刊

Volume : 第36卷

Issue : 第4期

Page Number : 82-89

Key Words : simulation；heterojunction；solar；cells；transport；properties

Abstract : The basic parameters of a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells,such as layer thickness,doping concentration,a-Si:H/c-Si interface defect density,and the work functions of the transparent conducting oxide（TCO） and back surface field（BSF） layer,are crucial

Translation or Not : no