方允樟

基本信息Personal Information

正高级工程师

性别 : 男

毕业院校 : 西安建筑科技大学

学历 : 博士研究生毕业

学位 : 博士学位

在职信息 : 退休

所在单位 : 物理与电子信息工程学院

入职时间 : 1986年07月01日

学科 : 物理学

联系方式 : 13566771116

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专利

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非晶外表层的纳米晶材料制备方法

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申请专利人 : 浙江师范大学

第一作者姓名 : 方允樟

发明设计人 : 方允樟,吴锋民,许启明,蔡秀珊,李通银,林根金

所属单位 : 数理与信息工程学院

专利类型 : 发明专利

专利说明 : 本发明涉及一种纳米晶材料的制备方法,特别是一种非晶外表层的纳米晶材料制备方法。要点是:在流动气体中用焦耳热对非晶材料进行处理。因持续的电流通过,使非晶材料不断升温,当温度升至材料纳米晶化温度后,材料被纳米晶化;但表层在流动气体的作用下,带走了大量热量,温度达不到纳米晶化温度,而未被纳米晶化,还是原来的非晶态;就形成了外表层为非晶的纳米晶材料。具有能制备结构紧密、能结合两种形态材料优点为一体的材料,还具有能制备性能优越且性价比高的材料。

申请日期 : 2009-01-07

申请号 : 200910095399.5

公开日期 : 2009-07-15

授权日期 : 2010-11-17

授权号 : CN101481782B

是否职务专利 :

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