方允樟

基本信息Personal Information

正高级工程师

性别 : 男

毕业院校 : 西安建筑科技大学

学历 : 博士研究生毕业

学位 : 博士学位

在职信息 : 退休

所在单位 : 物理与电子信息工程学院

入职时间 : 1986年07月01日

学科 : 物理学

联系方式 : 13566771116

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专利

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一种制备灵敏度高和线性区宽的磁敏材料方法

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申请专利人 : 浙江师范大学

第一作者姓名 : 郑金菊

发明设计人 : 郑金菊,马云,方允樟,吴锋民,李文忠,叶慧群

所属单位 : 数理与信息工程学院

专利类型 : 发明专利

专利说明 : 本发明涉及一种制备灵敏度高和线性区宽的磁敏材料方法。其要点是:将非晶材料在含氧和含水的气体中进行退火,气体中的氧气含量为5~60%,水蒸气的含量为相对湿度0~90%,退火温度为200~600℃,退火保持时间为10~600分钟。能获得同时具有灵敏度高和线性区宽两个优点的新型材料;用该材料制备的传感器探头的磁测量仪器,不仅灵敏度高和线性区宽,而且又能简化磁测量仪器的电路,便于微型化和提高磁测量设备的性能和可靠性,大大简化磁测量设备的制作工艺,从而可以大大降低磁测量设备的制造成本;相比传统退火方法,无需保护气体

申请日期 : 2011-01-25

申请号 : 201110026317.9

公开日期 : 2011-05-04

授权日期 : 2012-02-29

授权号 : CN102041460B

是否职务专利 :

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