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基本信息Personal Information
正高级工程师
性别 : 男
毕业院校 : 西安建筑科技大学
学历 : 博士研究生毕业
学位 : 博士学位
在职信息 : 退休
所在单位 : 物理与电子信息工程学院
入职时间 : 1986年07月01日
学科 : 物理学
联系方式 : 13566771116
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一种二硫化钨单层薄膜的制备方法
点击量 ：
申请专利人 ： 浙江师范大学
第一作者姓名 ： 孟秀清
发明设计人 ： 孟秀清，汤宁，方允樟，黄仕华，叶慧群，楼刚
所属单位 ： 数理与信息工程学院
专利类型 ： 发明专利
专利说明 ： 一种二硫化钨单层薄膜的制备方法，采用CVD方法，以纯度为99.99％高纯三氧化钨作为钨源和纯度为99.9％高纯硫作为硫源，以纯度为99.999％的高纯氩气作为载气，以纯度为99.999％的氢气作为反应催化气体，以蓝宝石衬底作为反应衬底，制备而成。本发明具有简单易行、能获得大尺寸高质量二硫化钨薄膜材料的优点，是一种既经济实惠又简单的制备方法。
申请日期 ： 2016-05-23
申请号 ： 201610348875.X
公开日期 ： 2016-10-12
授权日期 ： 2018-03-20
授权号 ： CN106007796B
是否职务专利 ： 否