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申请专利人 ： 浙江师范大学

第一作者姓名 ： 方允樟

发明设计人 ： 方允樟，郑金菊，吴锋民，许启明，满其奎

所属单位 ： 数理与信息工程学院

专利类型 ： 发明专利

专利说明 ： 本发明涉及一种磁敏材料，特别是一种高灵敏磁敏材料。含有Fe并含有Co、B、Si、Nb、V、Mn、Cu、Ni和Cr中的一种或多种组分的合金，其特征在于：外表层为非晶壳层，内部为纳米晶内芯的复合结构材料。因纳米晶结构，具有纵向易磁化和纵向高磁导率的优点，而非晶结构，具有垂直于纵向的环向易磁化和环向高磁导率的优点。两者的结合，不仅能大大提高阻抗变化率和磁场灵敏度，大大提高在微弱磁场的磁场灵敏度，而且还具有低灵敏响应临界磁场(其灵敏响应磁场可以小于5A/m)、可以在无需偏置场的情况下对微弱磁场敏感、降低磁敏传感器

申请日期 ： 2008-12-31

申请号 ： 200810163790.X

公开日期 ： 2009-10-07

授权日期 ： 2012-04-18

授权号 ： CN101552070B

是否职务专利 ： 否