方允樟

基本信息Personal Information

正高级工程师

性别 : 男

毕业院校 : 西安建筑科技大学

学历 : 博士研究生毕业

学位 : 博士学位

在职信息 : 退休

所在单位 : 物理与电子信息工程学院

入职时间 : 1986年07月01日

学科 : 物理学

联系方式 : 13566771116

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论文成果

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温度控制 Fe 基合金带纳米微晶生长技术的研究

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第一作者 : 方允樟

发表时间 : 2001-01-01

发表刊物 : 浙江工业大学学报

所属单位 : 数理与信息工程学院

文献类型 : 期刊

卷号 : 第29卷

期号 : 第3期

页面范围 : 305-308

ISSN : 1006-4303

关键字 : 纳米微晶薄带;巨磁阻抗效应;退火温度

摘要 : 研究了Fe73 .0 Cu1 Nb1 .5V2 Si1 3 .5B9非晶带经不同温度 (480℃、51 0℃、54 0℃、570℃ )退火而长成的纳米微晶薄带的软磁特性 ,发现 54 0℃是其最佳退火温度 ,经该温度退火可获得最高的巨磁阻抗效应。

是否译文 :

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