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基本信息Personal Information
正高级工程师
性别 : 男
毕业院校 : 西安建筑科技大学
学历 : 博士研究生毕业
学位 : 博士学位
在职信息 : 退休
所在单位 : 物理与电子信息工程学院
入职时间 : 1986年07月01日
学科 : 物理学
联系方式 : 13566771116
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利用磁致频移提高磁阻抗效应
点击量 :
第一作者 : 方允樟
发表时间 : 2005-01-01
发表刊物 : 浙江大学学报(工学版)
所属单位 : 数理与信息工程学院
文献类型 : 期刊
卷号 : 第39卷
期号 : 第4期
页面范围 : 511-515,521
ISSN : 1008-973X
关键字 : Fe基纳米晶;频移;磁阻抗;介观结构
摘要 : 用4294A型阻抗分析仪研究Fe基纳米晶薄带(FNR)两种驱动模式(LC模式和L模式)的磁阻抗,发现LC模式阻抗频谱在外磁场作用下有显著的频移现象.利用这种频移现象,在选择LC模式的情况下,当驱动电流频率接近0 磁场阻抗频谱峰频率时,磁阻抗比值达到24 28,比L模式的0 28 大得多;磁敏线性区间为0~1 669.5 A/m,比L模式的0~70 A/m扩大20 多倍.该结果在实际应用中有利于提高FNR磁敏传感器的灵敏度和扩大磁敏线性区间;用原子力显微镜( AFM)观察FNR表面和经氢氟酸溶液腐蚀的FNR
是否译文 : 否