方允樟

基本信息Personal Information

正高级工程师

性别 : 男

毕业院校 : 西安建筑科技大学

学历 : 博士研究生毕业

学位 : 博士学位

在职信息 : 退休

所在单位 : 物理与电子信息工程学院

入职时间 : 1986年07月01日

学科 : 物理学

联系方式 : 13566771116

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论文成果

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利用磁致频移提高磁阻抗效应

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第一作者 : 方允樟

发表时间 : 2005-01-01

发表刊物 : 浙江大学学报(工学版)

所属单位 : 数理与信息工程学院

文献类型 : 期刊

卷号 : 第39卷

期号 : 第4期

页面范围 : 511-515,521

ISSN : 1008-973X

关键字 : Fe基纳米晶;频移;磁阻抗;介观结构

摘要 : 用4294A型阻抗分析仪研究Fe基纳米晶薄带(FNR)两种驱动模式(LC模式和L模式)的磁阻抗,发现LC模式阻抗频谱在外磁场作用下有显著的频移现象.利用这种频移现象,在选择LC模式的情况下,当驱动电流频率接近0 磁场阻抗频谱峰频率时,磁阻抗比值达到24 28,比L模式的0 28 大得多;磁敏线性区间为0~1 669.5 A/m,比L模式的0~70 A/m扩大20 多倍.该结果在实际应用中有利于提高FNR磁敏传感器的灵敏度和扩大磁敏线性区间;用原子力显微镜( AFM)观察FNR表面和经氢氟酸溶液腐蚀的FNR

是否译文 :

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