方允樟

基本信息Personal Information

正高级工程师

性别 : 男

毕业院校 : 西安建筑科技大学

学历 : 博士研究生毕业

学位 : 博士学位

在职信息 : 退休

所在单位 : 物理与电子信息工程学院

入职时间 : 1986年07月01日

学科 : 物理学

联系方式 : 13566771116

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论文成果

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提高铁基纳米晶高频磁导率的新方法

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第一作者 : 郑金菊

发表时间 : 2006-01-01

发表刊物 : 仪器仪表学报

所属单位 : 数理与信息工程学院

文献类型 : 期刊

期号 : 第A2期

页面范围 : 1116-1117

ISSN : 0254-3087

关键字 : 纳米晶;退火;高频磁导率

摘要 : 采用3种不同的降温方法对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B非晶薄带进行退火,发现采用水冷却降温法获得的纳米晶样品的高频磁导率和品质因素最高,证明这是一种提高Fe基纳米晶高频磁导率的有效方法.

是否译文 :

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