方允樟

基本信息Personal Information

正高级工程师

性别 : 男

毕业院校 : 西安建筑科技大学

学历 : 博士研究生毕业

学位 : 博士学位

在职信息 : 退休

所在单位 : 物理与电子信息工程学院

入职时间 : 1986年07月01日

学科 : 物理学

联系方式 : 13566771116

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论文成果

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Fe76Si7.6B9.5P5C1.9薄膜的纵向驱动巨磁阻抗效应

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第一作者 : 褚光

发表时间 : 2013-01-01

发表刊物 : 凝聚态物理学进展

所属单位 : 数理与信息工程学院

文献类型 : 期刊

期号 : 第1期

ISSN : 2326-3512

关键字 : 巨磁阻抗效应;薄膜;纵向驱动;灵敏度

摘要 : 采用磁控溅射方法制备了单层Fe 76 Si 7.6 B 9.5 P 5 C 1.9 薄膜,利用HP4294A型阻抗分析仪测量了经过不同温度退火3.0 μm厚的FeSiBPC薄膜的纵向驱动巨磁阻抗效应。实验结果表明:经250℃退火的薄膜样品在190 kHz驱动频率下的最大巨磁阻抗比为157.32%,外场灵敏度为1.55%/(A∙m −1 )。

是否译文 :

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