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第一作者 ： 何兴伟

发表时间 ： 2012-01-01

发表刊物 ： 浙江师范大学学报(自然科学版)

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

期号 ： 第3期

页面范围 ： 295-299

ISSN ： 1001-5051

关键字 ： 巨磁阻抗效应；薄膜；纵向驱动；灵敏度

摘要 ： 采用磁控溅射方法制备了单层FeCuNbSiB薄膜,利用HP4294A型阻抗分析仪测量了经不同温度退火的3种不同厚度FeCuNbSiB薄膜的纵向驱动巨磁阻抗效应.实验结果表明:不同厚度薄膜样品的最佳退火温度均为300℃;经300℃退火的0.8,1.5和3.0μm厚薄膜样品在40 kHz驱动频率下的最大巨磁阻抗比分别为60.112%,262.529%和400.279%,外场灵敏度分别为1.06%,3.85%和3.03%/(A.m-1).采用纵向驱动模式可以使单层FeCuNbSiB薄膜在低频下呈现对弱场灵敏响应

是否译文 ： 否