方允樟

基本信息Personal Information

正高级工程师

性别 : 男

毕业院校 : 西安建筑科技大学

学历 : 博士研究生毕业

学位 : 博士学位

在职信息 : 退休

所在单位 : 物理与电子信息工程学院

入职时间 : 1986年07月01日

学科 : 物理学

联系方式 : 13566771116

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论文成果

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纵向驱动巨磁阻抗效应的研究进展

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第一作者 : 范晓珍

发表时间 : 2014-01-01

发表刊物 : 浙江师范大学学报(自然科学版)

所属单位 : 数理与信息工程学院

文献类型 : 期刊

卷号 : 第37卷

期号 : 第2期

页面范围 : 135-141

ISSN : 1001-5051

关键字 : 巨磁阻抗效应;纵向驱动巨磁阻抗效应;纵向驱动巨应力效应;磁各向异性;非晶软磁合金

摘要 : 对纵向驱动巨磁阻抗(LDGMI)效应的特性、原理及应用技术的研究进行了综述,对学术界存在争议的LDGMI效应和巨磁阻抗(GMI)效应基本物理机制问题进行了评析.认为LDGMI效应和GMI效应的区别在于工作模式不同,而基本物理机制相同,在应用开发中两者各有优缺点,相互可以形成互补关系,而LDGMI效应相比GMI效应具有灵敏度更高、可靠性更高、适应性更灵活等优点,在新型磁敏传感器和新型磁性能测量仪器开发应用中LDGMI效应会发挥独特的优势.LDGMI效应前景光明,值得业界关注.

是否译文 :

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