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第一作者 ： 蔡嫦芳

发表时间 ： 2013-01-01

发表刊物 ： 发光学报

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

期号 ： 第6期

页面范围 ： 721-726

ISSN ： 1000-7032

关键字 ： CuI薄膜；温度；结构；光致发光

摘要 ： 以IT0导电玻璃衬底,CuSO4、KI为反应溶液,EDTA为络合剂,通过简单的电化学方法分别在40,60,80℃的电沉积温度下成功制备出高定向的γ-CuI薄膜.讨论了不同沉积温度下碘化亚铜薄膜各项性质的差异,作为比较还利用化学沉积方法在室温下合成了碘化亚铜粉末.利用X射线衍射图(XRD)进行结构分析,场发射扫描电子显微镜(SEM)进行形貌观察.实验结果表明:碘化亚铜薄膜由三角形纳米片构成,沿(111)晶相择优生长.随着电沉积温度的升高,颗粒的尺寸从2 μm减小到500 nm.不同电沉积温度制备出的碘化亚铜

是否译文 ： 否