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基本信息Personal Information
正高级工程师
性别 : 男
毕业院校 : 西安建筑科技大学
学历 : 博士研究生毕业
学位 : 博士学位
在职信息 : 退休
所在单位 : 物理与电子信息工程学院
入职时间 : 1986年07月01日
学科 : 物理学
联系方式 : 13566771116
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利用GMI效应表征FECUNBSIB薄带的磁结构
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第一作者 ： 范晓珍
发表时间 ： 2013-01-01
发表刊物 ： 长春大学学报
所属单位 ： 数理与信息工程学院
文献类型 ： 期刊
期号 ： 第2期
页面范围 ： 176-179
ISSN ： 1009-3907
关键字 ： GMI效应；磁结构；磁力显微镜法
摘要 ： 介绍了利用GMI效应表征540℃加不同加张应力退火的FeCuNbSiB薄带的磁结构,并结合磁力显微镜观测法进行分析。实验结果表明:该样品具有横向易磁化结构和纵向易磁化结构的复合结构,随着应力的增大,横向各向异性场呈线性增大,这跟其他研究者的研究结果相一致。采用GMI效应表征软磁材料磁结构的方法是传统磁结构表征方法的一个有益补充。
是否译文 ： 否