方允樟

基本信息Personal Information

正高级工程师

性别 : 男

毕业院校 : 西安建筑科技大学

学历 : 博士研究生毕业

学位 : 博士学位

在职信息 : 退休

所在单位 : 物理与电子信息工程学院

入职时间 : 1986年07月01日

学科 : 物理学

联系方式 : 13566771116

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论文成果

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Fe基纳米晶LC回路的磁敏特性研究

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第一作者 : 方允樟

发表时间 : 2004-01-01

发表刊物 : 功能材料与器件学报

所属单位 : 数理与信息工程学院

文献类型 : 期刊

期号 : 第4期

页面范围 : 479-484

ISSN : 1007-4252

关键字 : Fe基纳米晶;LC回路;磁阻抗

摘要 : 通过Fe基纳米晶磁芯电感(LN)与由其并联电容构成的LC回路(LCN)的阻抗频谱曲线和磁阻抗曲线的比较分析,发现LCN磁阻抗比值(△Z/Z0)和磁敏线性区间都比LN大得多,LCN存在特征频率:fr0、frhmax、fr,依据特征频率可以确定磁阻抗曲线的形状,实现LCN磁感灵敏度、磁敏线性区间等磁敏特性的有效调控。

是否译文 :

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