方允樟

基本信息Personal Information

正高级工程师

性别 : 男

毕业院校 : 西安建筑科技大学

学历 : 博士研究生毕业

学位 : 博士学位

在职信息 : 退休

所在单位 : 物理与电子信息工程学院

入职时间 : 1986年07月01日

学科 : 物理学

联系方式 : 13566771116

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论文成果

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Fe基合金薄带磁畴结构的MFM研究<sup>*</sup>

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第一作者 : 张建强

发表时间 : 2010-01-01

发表刊物 : 浙江师范大学学报·自然科学版

所属单位 : 数理与信息工程学院

文献类型 : 期刊

期号 : 第2期

页面范围 : 150-154

ISSN : 1001-5051

关键字 : MFM;迷宫畴;片状畴;立体测量法

摘要 : 利用磁力显微镜(MFM)观测了550℃自由退火和张应力(δ=170 MPa)退火的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9合金薄带表面磁畴结构.发现自由退火样品表面畴结构是迷宫畴,应力退火的为片状畴.并采用立体测量法测量了迷宫畴的畴宽为203 nm,片状畴的畴宽为214 nm.认为样品结构的差异可能是张应力退火所引起的α-Fe(Si)纳米晶粒的方向优势团聚所致.

是否译文 :

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