方允樟

基本信息Personal Information

正高级工程师

性别 : 男

毕业院校 : 西安建筑科技大学

学历 : 博士研究生毕业

学位 : 博士学位

在职信息 : 退休

所在单位 : 物理与电子信息工程学院

入职时间 : 1986年07月01日

学科 : 物理学

联系方式 : 13566771116

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论文成果

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Simulation of multilayer Cu/Pd(100) heteroepitaxial growth by pulse laser deposition

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第一作者 : Wu, FM

发表时间 : 2007-01-01

发表刊物 : Chinese physics

所属单位 : 数理与信息工程学院

文献类型 : 期刊

卷号 : Vol.16

期号 : NO.10

页面范围 : 3029-3035

ISSN : 1674-1056

关键字 : heteroepitaxy;pulse;laser;deposition;Ehrlich-Schwoebel;(ES);barrier;kinetic;Monte;Carlo;simulation;MOLECULAR-BEAM;EPITAXY;MONTE-CARLO-SIMULATION;INTERLAYER;MASS-TRANSPORT;THIN-FILM;GROWTH;BY-LAYER;GROWTH;HOMOEPITAXIAL;GROWTH;DYNAMICS;SIMULATION;CRYSTAL;SU

摘要 : The heteroepitaxial growth of multilayer Cu/Pd(100) thin film via pulse laser deposition (PLD) at room temperature is simulated by using kinetic Monte Carlo (KMC) method with realistic physical parameters. The effects of mass transport between interlayers

是否译文 :

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