方允樟

基本信息Personal Information

正高级工程师

性别 : 男

毕业院校 : 西安建筑科技大学

学历 : 博士研究生毕业

学位 : 博士学位

在职信息 : 退休

所在单位 : 物理与电子信息工程学院

入职时间 : 1986年07月01日

学科 : 物理学

联系方式 : 13566771116

Email :

扫描关注

论文成果

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

Morphology transition in a heteroepitaxial system: Co/Cu(111)

点击量 :

第一作者 : WU

发表时间 : 2006-01-01

发表刊物 : 稀有金属(英文版)

所属单位 : 数理与信息工程学院

文献类型 : 期刊

期号 : 第A1期

页面范围 : 540-543

ISSN : 1001-0521

关键字 : heteroepitaxy;morphology;transition;KMC;simulation;ES;barrier

摘要 : The initial stages of multilayer Co thin film grown on Cu(111) surface were simulated by means of kinetic Monte Carlo (KMC) method, where the realistic growth model and physical parameters were presented. The effects of edge diffusion along the islands an

是否译文 :

推荐此文