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基本信息Personal Information
正高级工程师
性别 : 男
毕业院校 : 西安建筑科技大学
学历 : 博士研究生毕业
学位 : 博士学位
在职信息 : 退休
所在单位 : 物理与电子信息工程学院
入职时间 : 1986年07月01日
学科 : 物理学
联系方式 : 13566771116
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退火温度对ITO薄膜电导率的影响
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第一作者 ： 孟庆哲
发表时间 ： 2013-01-01
发表刊物 ： 材料科学
所属单位 ： 数理与信息工程学院
文献类型 ： 期刊
期号 ： 第1期
ISSN ： 0379-6906
关键字 ： 氧化铟锡(ITO)；快速退火(RTA)；电导率
摘要 ： 采用电子束蒸镀技术研究ITO薄膜的电导率与热处理(RTA)温度的关系。利用XRD分析薄膜的相结构，用SEM观测薄膜的显微结构，利用Hall测试仪测量薄膜的电学性能。结果表明，退火后ITO薄膜的结晶度得到明显改善，晶相择优生长，晶粒尺寸变大，薄膜电导率随退火温度的上升先升高后下降。经过520℃退火15 min时，制备的薄膜样品电导率最大。
是否译文 ： 否