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  • 姓名:范晓珍
  • 性别:
  • 入职时间:2011-08-23
  • 在职信息:在岗
  • 职称:实验师
  • 单位:物理与电子信息工程学院
  • 毕业院校:浙江师范大学数理与信息学院
论文成果
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FeCuNbSiB薄膜的纵向驱动巨磁阻抗效应
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  • 作者:何兴伟
  • 所属单位:数理与信息工程学院
  • 文献类型:期刊
  • 发表时间:2012-01-01
  • 发表刊物:浙江师范大学学报(自然科学版)
  • 期号:第3期
  • 页面范围:295-299
  • Issn号:1001-5051
  • 是否译文:
  • 关键字:巨磁阻抗效应;薄膜;纵向驱动;灵敏度
  • 摘要:采用磁控溅射方法制备了单层FeCuNbSiB薄膜,利用HP4294A型阻抗分析仪测量了经不同温度退火的3种不同厚度FeCuNbSiB薄膜的纵向驱动巨磁阻抗效应.实验结果表明:不同厚度薄膜样品的最佳退火温度均为300℃;经300℃退火的0.8,1.5和3.0μm厚薄膜样品在40 kHz驱动频率下的最大巨磁阻抗比分别为60.112%,262.529%和400.279%,外场灵敏度分别为1.06%,3.85%和3.03%/(A.m-1).采用纵向驱动模式可以使单层FeCuNbSiB薄膜在低频下呈现对弱场灵敏响应
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