First Author:何兴伟
Date of Publication:2012-01-01
Journal:浙江师范大学学报(自然科学版)
Affiliation of Author(s):数理与信息工程学院
Document Type:期刊
Issue:第3期
Page Number: 295-299
ISSN No.:1001-5051
Key Words:巨磁阻抗效应；薄膜；纵向驱动；灵敏度
Abstract:采用磁控溅射方法制备了单层FeCuNbSiB薄膜,利用HP4294A型阻抗分析仪测量了经不同温度退火的3种不同厚度FeCuNbSiB薄膜的纵向驱动巨磁阻抗效应.实验结果表明:不同厚度薄膜样品的最佳退火温度均为300℃;经300℃退火的0.8,1.5和3.0μm厚薄膜样品在40 kHz驱动频率下的最大巨磁阻抗比分别为60.112%,262.529%和400.279%,外场灵敏度分别为1.06%,3.85%和3.03%/(A.m-1).采用纵向驱动模式可以使单层FeCuNbSiB薄膜在低频下呈现对弱场灵敏响应
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