Patent Applicant:浙江师范大学
First Author:冯九菊
Disigner of the Invention:冯九菊，吕章英，黄宏，周丹玲，王爱军，秦素芳
Affilication of Author(s):化学与生命科学学院
Type of Patent:发明专利
Patent Description:本发明提供了一种多孔网状金纳米片阵列及其制备方法，属于金纳米材料技术领域。它解决了现有金纳米材料难以大规模生产的问题。本多孔网状金纳米片阵列通过如下步骤制备完成：（1）、配制含金离子的电解液；（2）、对电解液进行电沉积；（3）、在工作电极上形成多孔网状金纳米片阵列，制备而成的多孔网状金纳米片阵列呈多个多孔纳米片相互连接成网状结构。本多孔网状金纳米片阵列采用一步电沉积法制备而成，可直接在基底材料上直接制备多级结构的金纳米材料，可直接用于功能器件的构建。制备过程简单、可控，能耗低，能更好地控制纳米粒子的形貌和
Application Date:2013-06-08
Application Number:201310232280.4
Publication Date:2013-09-18
Date of authorization:2016-01-20
Authorization number:CN103305881B
Service Invention or Not:no