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发布时间：2018-12-18

第一作者：Ni, Hao

发表时间：2017-01-01

发表刊物：APPLIED PHYSICS LETTERS

所属单位：数理与信息工程学院

文献类型：期刊

卷号：Vol.110

期号：No.21

ISSN号：0003-6951

摘要：TiO2-delta thin films were epitaxially grown on (001)-oriented 0.7Pb(Mg1/3Nb2/3) O-3-0.3PbTiO(3) (PMN-PT) ferroelectric single-crystal substrates. By applying electric fields E across the PMN-PT, the TiO2-delta film resistance could be reversibly switched

是否译文：否