黄仕华
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申请专利人 : 浙江师范大学
作者 : 黄仕华
发明设计人 : 黄仕华,张嘉华
所属单位 : 数理与信息工程学院
专利类型 : 发明专利
专利说明 : 本发明公开了一种制备低反射率的单晶硅绒面结构的方法,先以传统方法在硅片表面形成大量四面方锥体,再通过碱醇溶液浸泡处理,在硅片表面形成很多的纳米孔。这种具有纳米结构的“金字塔”形状的硅片表面的反射率得到了得到进一步降低,同时,硅片表面的载流子复合却只有轻微的下降,对硅片的少子寿命几乎没有产生影响,从而可以有效地提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率。
申请日期 : 2017-06-06
申请号 : 201710417021.7
公开日期 : 2017-11-03
是否职务专利 : 否