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申请专利人 ： 浙江师范大学

作者 ： 黄仕华

发明设计人 ： 黄仕华，陈达

所属单位 ： 数理与信息工程学院

专利类型 ： 发明专利

专利说明 ： 本发明公开了一种新型阻变存储器及其制造方法，包括硅片衬底、背电极，硅片衬底上方具有二氧化硅保护层，二氧化硅保护层上蚀刻有若干圆柱形凹穴，该凹穴与硅片衬底接触处为阻变介质层，阻变介质层上方为硅化物层，硅化物层上方及其对应凹穴的圆周内壁为防金属扩散层，防金属扩散层内为金属顶电极。本发明得到的阻变存储单元具有优异稳定的电阻转变特性，通过引入硅化物层，减小了上电极与阻变介质层之间的势垒电阻，使得阻变介质层发生电阻转变可不受上电极材料的影响，进一步提升了存储单元的稳定性。

申请日期 ： 2017-09-29

申请号 ： 201710903360.6

公开日期 ： 2018-02-23

是否职务专利 ： 否