黄仕华
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申请专利人 : 浙江师范大学
作者 : 黄仕华
发明设计人 : 黄仕华,陈达
所属单位 : 数理与信息工程学院
专利类型 : 发明专利
专利说明 : 本发明提供了一种基于碳氧化硅薄膜的阻变材料及阻变存储器。一种碳氧化硅薄膜阻变材料,其分子式为SiC x O y ,其中x=1.21~0.21,y=1.45~2.01,且x、y为负相关;膜厚度在50nm以下。一种阻变存储器,包括顶电极、阻变介质层、衬底和背电极,其特征在于所述阻变介质层为上述碳氧化硅薄膜。所述顶电极可以采用Ag和Al等材料。本发明选用了COMS工艺兼容的材料来制备阻变存储器,制备过程主要采用了物理法沉积薄膜设备,无高温工艺,减少了能源的消耗。通过控制气体比例,可以得到不同缺陷浓度的碳氧化硅薄
申请日期 : 2016-05-17
申请号 : 201610325908.9
公开日期 : 2018-10-09
授权日期 : 2018-10-09
授权号 : CN105977379B
是否职务专利 : 否