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    黄仕华

    • 教授 博士生导师 硕士生导师
    • 性别 : 男
    • 毕业院校 : 复旦大学
    • 学历 : 博士研究生毕业
    • 学位 : 博士学位
    • 在职信息 : 在岗
    • 所在单位 : 物理与电子信息工程学院
    • 入职时间 : 2004-07-01
    • 办公地点 : 校内科技楼(29幢)418室(靠西边)
    • 联系方式 : 通讯地址:浙江省金华市迎宾大道688号浙江师范大学数理信息学院 邮编:321004 Email:huangshihua@zjnu.cn 联系电话:0579-82298266(办公室),82298856(实验室)
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    一种碳氧化硅薄膜及阻变存储器

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    申请专利人 : 浙江师范大学

    作者 : 黄仕华

    发明设计人 : 黄仕华,陈达

    所属单位 : 数理与信息工程学院

    专利类型 : 发明专利

    专利说明 : 本发明提供了一种基于碳氧化硅薄膜的阻变材料及阻变存储器。一种碳氧化硅薄膜阻变材料,其分子式为SiC x O y ,其中x=1.21~0.21,y=1.45~2.01,且x、y为负相关;膜厚度在50nm以下。一种阻变存储器,包括顶电极、阻变介质层、衬底和背电极,其特征在于所述阻变介质层为上述碳氧化硅薄膜。所述顶电极可以采用Ag和Al等材料。本发明选用了COMS工艺兼容的材料来制备阻变存储器,制备过程主要采用了物理法沉积薄膜设备,无高温工艺,减少了能源的消耗。通过控制气体比例,可以得到不同缺陷浓度的碳氧化硅薄

    申请日期 : 2016-05-17

    申请号 : 201610325908.9

    公开日期 : 2018-10-09

    授权日期 : 2018-10-09

    授权号 : CN105977379B

    是否职务专利 :

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