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申请专利人 ： 浙江师范大学

作者 ： 黄仕华

发明设计人 ： 黄仕华，陈达

所属单位 ： 数理与信息工程学院

专利类型 ： 发明专利

专利说明 ： 本发明公开了一种用于制备多晶硅锭的坩埚及多晶硅锭的生长方法，所述坩埚为中空的矩形结构，底面为正方形；所述正方形的底面上设有若干个直角的“V”型长槽。所述生长方法包括以下步骤：1）控制温度使“V”型长槽内的熔融硅率先降温到1410 ℃；2）提升保温桶使熔融硅从“V”型长槽内的底部开始形核生长；3）控制保温桶的提拉速度，使生长速度快的晶体首先达到“V”型长槽的上顶面，“V”型长槽内晶体的结晶速度2 mm/h；4）加快保温桶的提拉，以10 mm/h的速度完成接下去的晶体生长，获得柱状晶。本发明通过坩埚底部“V”

申请日期 ： 2014-06-20

申请号 ： 201410276658.5

公开日期 ： 2014-09-03

授权日期 ： 2016-04-27

授权号 ： CN104018222B

是否职务专利 ： 否