黄仕华
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申请专利人 : 浙江师范大学
作者 : 黄仕华
发明设计人 : 黄仕华,王佳,黄玉清,芮哲
所属单位 : 数理与信息工程学院
专利类型 : 发明专利
专利说明 : 本发明公开了一种选择性接触晶体硅异质结太阳能电池及其制备方法,电池结构分为若干层,自上而下为:Ag/ITO/MoOx/SiOy/n‑c‑Si/SiOy/LiFz/Al;制备时:利用硝酸氧化法在硅片前后表面生长一层超薄SiOy层(1.0~1.3nm),然后在硅片正面依次生长MoOx、ITO、Ag,硅片背面依次生长LiFx和Al。本发明分别利用MoOx的高功函数、LiFz的低功函数特性弯曲MoOx/c‑Si和LiFz/c‑Si异质结能带,实现对光生载流子进行选择性分离。
申请日期 : 2018-04-11
申请号 : 201810319531.5
公开日期 : 2018-08-10
是否职务专利 : 否