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申请专利人 ： 浙江师范大学

作者 ： 黄仕华

发明设计人 ： 黄仕华，黄玉清，芮哲，王佳

所属单位 ： 数理与信息工程学院

专利类型 ： 发明专利

专利说明 ： 本发明公开了一种硅片清洗后简单有效的保存方法，在对硅片进行彻底清洗后，用68%HNO3生长一层界面态密度低的二氧化硅隔绝层，然后保存到无水乙醇溶液、异丙醇溶液或自然密封袋中，待使用前再用1%的HF溶液浸泡180s，去离子水冲洗后用氮气吹干，即可投入工艺使用。本发明通过浓硝酸生长的二氧化硅致密性良好，界面态密度低，可以很好地隔绝硅片与外界空气的接触。

申请日期 ： 2018-03-23

申请号 ： 201810242584.1

公开日期 ： 2018-08-24

是否职务专利 ： 否