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第一作者 ： 黄仕华

发表时间 ： 2014-01-01

发表刊物 ： 浙江师范大学学报(自然科学版)

所属单位 ： 数理与信息工程学院

文献类型 ： 期刊

卷号 ： 第37卷

期号 ： 第2期

页面范围 ： 121-125

ISSN ： 1001-5051

关键字 ： PECVD；非晶硅薄膜；掺杂；氢稀释度；电导率

摘要 ： 采用等离子增强化学气象沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)法在普通玻璃上沉积非晶硅薄膜材料.通过控制变量分别研究了p,n层的掺杂浓度、氢稀释度及i层的反应气压对薄膜材料性能的影响.结果表明:p层材料在掺杂浓度为6.67%、氢稀释度为10.6时有较高的暗电导率和较低的沉积速率;n层材料在掺杂浓度为3.33%、氢稀释度为8.3时有较高的暗电导率和较低的沉积速率;i层材料在反应气压为95 Pa、氢稀释度为15时有较高的光暗电导率之比.

是否译文 ： 否